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IXTQ 22N60P
IXTV 22N60P
IXTV 22N60PS
30
27
Fig. 7. Input Adm ittance
30
27
Fig. 8. Trans conductance
24
21
18
15
12
24
21
18
15
12
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
9
6
3
0
T J = 125 o C
25 o C
-40 o C
9
6
3
0
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
0
3
6
9
12
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18
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24
27
30
70
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Source -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Char ge
60
50
40
9
8
7
6
5
V DS = 300V
I D = 11A
I G = 10m A
30
20
10
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7 0.8
V S D - V olts
0.9
1
1.1
0
10
20
Q G
30 40
- nanoCoulombs
50
60
10000
1000
Fig. 11. Capacitance
f = 1MH z
C iss
100
Fig. 12. For w ard-Bias
Safe Ope rating Are a
R DS(on) Lim it
25μs
100
C oss
C rs s
10
T J = 150oC
DC
1m s
10m s
100μs
T C = 25oC
10
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V D S - V olts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V D S - V olts
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IXTV250N075T 功能描述:MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IXTV26N50P 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTV26N50PS 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTV26N60P 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTV26N60PS 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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